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晶體管
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IPP200N25N3G
型號:IPP200N25N3G
功能類別:晶體管 ,

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產品參數


【型號】: IPP200N25N3G



【封裝】: TO220-3



【品牌】: Infineon Technologies



【包裝】:
500        



【品質】:


百分百全新原廠原裝正品

FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 64A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 20 毫歐 @ 64A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 7100pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO220-3
封裝/外殼 TO-220-3





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